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場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別如下：

1、主題不同

場(chǎng)效應(yīng)管： V型槽 MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼 MOSFET之后新興的高效功率開關(guān)器件。

MOS管：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管屬絕緣柵型。

2、特性不同

場(chǎng)效應(yīng)管： MOS場(chǎng)效應(yīng)管不僅繼承了輸入阻抗高(≥108 W)、驅(qū)動(dòng)電流(約為0.1μ A)，而且還具有耐壓高(最高可耐壓)、工作電流(1.5 A~100 A)、輸出功率高(約為108 W)、驅(qū)動(dòng)電流(約0.1μ A)等優(yōu)良特性。

MOS管：其主要特征是金屬柵極和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此有很高的輸入電阻(最高可達(dá)1015Ω)。

3、規(guī)則不同

場(chǎng)效應(yīng)管：功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)集于一身，因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)達(dá)到數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器等方面得到了廣泛的應(yīng)用。

MOS管：當(dāng) VGS=0時(shí)是處于截止?fàn)顟B(tài)，再加上正確的 VGS，大部分載體會(huì)被吸引到柵極上，從而“加強(qiáng)”這一區(qū)域的載體，形成導(dǎo)電溝道。

延伸：

場(chǎng)效晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管?？煞譃閮深?junctionFET-JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET)。大多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱單極晶體管。本發(fā)明屬電壓控制半導(dǎo)體器件。其輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、無二次擊穿、無二次擊穿、安全工作區(qū)等特點(diǎn)，已成為雙極型晶體管和功率晶體管的有力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

場(chǎng)效管(FET)是一種半導(dǎo)體裝置，它利用電場(chǎng)效應(yīng)控制輸入回路電流，并以此命名。

mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或稱金屬絕緣體(insulator)半導(dǎo)體。MOS管的 source和 drain是可以對(duì)調(diào)的，它們都是 N型區(qū)，在 P型 backgate中形成。大多數(shù)情況下，這兩個(gè)區(qū)域是相同的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這種裝置被認(rèn)為是對(duì)稱的。

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